【事業内容】
人工宝石を製造する手法の一つである気相合成法において、宝石を成長するための元となる「種結晶」を主要製品として、販売しております。この種結晶を成長させて原石を作り、これをカットと研磨を行い、宝石を作ります。最終的には宝飾品に加工して、消費者に届きます。従って、当社は、LGD市場のサプライチェーンにおいて、最上流のポジションに位置しております。当社は産総研の開発した大型ダイヤモンド結晶製造技術を移転し、それによって種結晶製造し、人工宝石を製造する企業へ販売を行っております。
当社の販売しております種結晶は、５～11mmの正方形で、厚さが0.2や0.3mmの薄い板であります。人工宝石製造会社は、これを気相合成法によって、３～８mmの厚さまで成長させます。成長しますと形状としては粒状の宝石の原料となる結晶が出来あがります。このような結晶を、カットし研磨しますと、ルースになり、これを宝飾品に取り付けます。当社のユーザーは原石を作っている企業でありますが、多くの場合、原石を製作する企業は、ルースまで製作し、宝飾業者や宝石店に販売しております。
当社は種結晶は直接もしくは商社を通じて人工宝石製造会社等に供給し、そこでできた宝石は、直接もしくは宝石販売会社等を通じて消費者に販売されております。一方、当社の生産技術は、産総研が開発した手法を元にしており、この技術の知的財産権は産総研が有し、当社は特許実施権許諾契約（契約期限2023年10月31日）を締結しており、当該契約に基づき、他の製品を含み、販売した製品金額から算出した実施料を、産総研に納入しております。
宝石や研磨剤は、粒状のダイヤモンドを利用していますが、電子部品や光学部品等として利用する場合は、通常は板状の材料を使用しております。当社は、ダイヤモンドの単結晶を、ガスから成長させる人工的な手法で製作し、これを電子材料の分野などへ工業材料として販売しておりますが、板状の単結晶ダイヤモンドを製造できることが大きな特徴です。これによって、砥粒分野以外の応用分野にとっては適用しやすいとともに、当社が採用する気相合成法以外の他の製造手法や競合他社に比べ大型の単結晶が製造できるという、優位性を持っております。
現在では、次第に一般的になってきている人工宝石生産に用いる元となる結晶（以下、「種結晶」という。）、ダイヤモンドを半導体材料として様々なデバイスへ使うための基板、高発熱のデバイスを冷やすための材料（ヒートシンク）、原子レベルまでの精度が要求される精密加工切削工具等の分野において利用されております。当社はこれ等の分野へ製品を開発し、出荷しております。人工宝石を製造するための種結晶が、主要な製品となっており、2021年３月期売上高の87.7％を占めております。
ダイヤモンドは硬度が最も高いことから、従来から、石材などの硬質材料を切断、研磨する砥石として広く使われており、このための微小（0.3mm以下のもの）なダイヤモンド砥粒も、従来から一般的に人工合成技術によって作られておりました。一方で、ある程度のサイズを持ったダイヤモンド単結晶は、宝石としては多くの人の目に入るものですが、切削工具や光学部品として、工業用にはごく少量しか使われておりませんでした。最近になって、人工合成手法によって、ダイヤモンド宝石材料を製造する技術が完成し、大量の生産が行われるようになりました。当社のダイヤモンド単結晶は、この製造において重要な役割を果たす種結晶として使用されております。
当社のダイヤモンド単結晶製造技術は、産総研によって基本技術が生み出され、当社がこれを実用化するために、数々の開発を進めてきました。産総研はこの技術について基本的な知的財産権を持っており、当社は「産総研発ベンチャー」としてこれらの知的財産権の独占実施権を有しています。
なお、当社はダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載はしておりません。
(1) 当社の製造技術
①ダイヤモンドの人工合成技術
ダイヤモンドは一般には天然に産するものと考えられていますが、現在使用されている工業用ダイヤモンドのほとんどは人工合成で製作されています。ダイヤモンドの人工合成法は1955年に超高圧合成法が確立し、その後当社が採用する気相合成法を含む他の２種法が登場しました。
この中で気相合成法は、メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法であります。物質形成手法の一つで、基本的には気相（ガス）から物質が生じる現象を利用します。気相へ元素を取り出す方法が２種類あり、物理的な手法と、化学的な手法の２つに分類されます。この内、CVD法のみでダイヤモンドを生成することができます。
CVD法では、ガスを原料として使用し、温度を上げる方法やその他の手段により、目的の物質を作り出すための反応を促進します。ガスの活性化の手段の一つが放電現象によって発生するプラズマ（注４）であり、プラズマを利用することで、目的の物質を作り出すことが可能であります。当社は、ダイヤモンドを成長させる手段として、プラズマを利用する「プラズマCVD法」を使用しております。
プラズマCVD法以外のいずれの手法でも、金属やセラミックス上にダイヤモンドを形成できますが、その場合は多結晶（非常に小さい単結晶粒子が固まったもの）のダイヤモンドとなります。単結晶のダイヤモンドを生成させるには、ダイヤモンド単結晶の上に成長させることが必要です。CVD法の中には、成長したダイヤモンドに、金属などの不純物が結果的に混入してしまう手法があります。当社のような単結晶を利用する製品用途では、純粋なダイヤモンドを成長させることが必要で、そのために成長させるための手法は限定されます。また、厚さ方向への成長速度が速すぎると、結晶が乱れることがあり、成長速度を制御できることも重要な要素です。
不純物の混入がほとんどなく、成長速度を制御できる方法は、プラズマCVD法です。この方法は、反応ガスを放電などで生成するプラズマによって分解するもので、プラズマ生成手段は色々ありますが、当社は、代表的には2.45GHzの電波であるマイクロ波を採用しております。
各プラズマ発生源（装置）がダイヤモンド成長にとって有効であることは確かめられていますが、安定性と不純物制御の観点から、当社はマイクロ波を選択しています。使用できるマイクロ波の周波数は電波法などで管理されており、2.45GHzもしくは915MHzを使うことができます。当社は現在、2.45GHzのマイクロ波を使った装置で、ダイヤモンドを成長させています。この装置では、概ね直径５cmの領域に、ダイヤモンドを形成できることが知られています。この装置の大きな特徴は、長時間の運転を安定して行うことができることや、数mmといった厚いダイヤモンドを製造することができることであります。
②ダイヤモンド単結晶を成長させる技術
単結晶とは、一つの結晶（構成する分子が規則正しく並んでいる状態）でできているもので、天然に産するダイヤモンドはほとんどが単結晶です。多結晶は、微小な単結晶が集まったもので、結晶と結晶の隣り合う部分は結晶粒界と呼ばれています。
ダイヤモンド単結晶を、CVD法のダイヤモンドが成長できる条件下に置くと、その上を覆うように単結晶が積み上がってきます。成長させるための結晶を「親結晶」と言い、成長した結晶を「子結晶」と称します。成長した子結晶は、成長させた親結晶と同じ原子配列となるので、成長後には一体の単結晶となります。成長装置としての限界はありますが、数mmといった厚さまでの成長は、各種の成長装置で実現しています。
単結晶の成長速度は１時間当たり１µm～20µmとされています。つまり、１mm程度の厚さを作るのに、50時間（20µm/時間）～1,000時間（１µm/時間）が必要な成長速度です。成長速度によってでき上がった結晶の特性は変化し、遅い成長速度である程、高品質の結晶が得られます。成長速度が遅ければ、成長に要する製造コストは高くなります。従って、求められる結晶品質によって、成長の条件を選択することが重要です。
気相成長した結晶の品質は、成長速度だけで決まるのではなく、混入する不純物や子結晶を成長させる親結晶の品質によっても左右されます。不純物としては窒素（N）が代表的な元素ですが、成長中の反応ガスに含まれる窒素濃度が変化すれば、広い範囲の結晶品質の変化が見られます。高窒素濃度の成長では、見た目にも黒くなり、結晶品質が悪くなります。また、親結晶に結晶欠陥が多数あると、成長した結晶にこの欠陥が引き継がれます。引き継がれる程度は、成長条件によってある程度制御は可能ですが、よりよい親結晶を使うことは、よりよい子結晶を成長させることになります。また、同じ成長条件で同じ親結晶を使っても、成長前の親結晶の表面が汚れていれば、それが子結晶の品質悪化の原因ともなります。
多くの半導体材料（シリコン、ガリウムひ素、炭化ケイ素等）は、小さな種結晶を成長させて大きくしており、シリコンの場合では30cm（12インチ）の直径を持つ単結晶ウエハも製作できます。ダイヤモンドの気相からの成長では、この様に結晶の面積を拡大する方法は見つかっていません。すなわち、あるサイズの親結晶から成長させても、親結晶のサイズより大きくはならず、ただ単に厚さが増すだけです。従って、ダイヤモンド単結晶の成長では、必ず最終的に必要なサイズの親結晶を使う必要があります。
単結晶を大型化するには、結晶の成長方向を変えて、繰り返し成長することが唯一の方法です。当社でも４x４mm程度の小さな元結晶から、成長させる方向を６回ほど変更することで、12x12mm以上の面積を持つ大型単結晶を作製しています。しかし、この手法を使っても、装置内でダイヤモンドが成長できる大きさには限界があり、作製できる形状も限られます。また、複数回の成長を繰り返すため、大型結晶にするには非常に長時間の成長を安定的に行うことが必要です。
このようにして成長したダイヤモンドは、原子の配列が完全なダイヤモンド単結晶であり、不純物を少なく制御できれば、純粋なダイヤモンドとなります。宝石として使用されている天然ダイヤモンドのほとんどは、0.2％程度窒素を含有していますが、上記のように製作したダイヤモンドは、窒素量を0.0001％以下（1ppm）まで制御することが可能です。純粋で欠陥の少ないダイヤモンドほど、宝石としての価値も高くなりますが、高品質が必要となる半導体材料や光学材料としても適した性質を実現しています。
③当社の大型単結晶製造技術
当社は産総研の技術を基にして、量産技術を確立してきました。産総研の開発した大型単結晶の製造技術は、以下の２つの特徴ある技術によって構成されており、その特許を産総研が保有しています。
a.イオン注入法を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術
ダイヤモンド単結晶上にダイヤモンド単結晶を成長させると、一体になった単結晶ができます。親結晶と子結晶は、同じ結晶であるので境界は存在しません。子結晶を親結晶から剥がさなければ、親結晶をもう一度使うことができません。ダイヤモンドの切断は、レーザーによって行うことができるため、成長したダイヤモンドをレーザーによって切り離すことが考えられます。
数mm程度の小型のダイヤモンドをレーザー切断するのは短時間で可能で、大出力のレーザーも必要ありません。切断部分が10x10mmといった大きさになると、レーザーがダイヤモンドに入り込む深さが限定されますので、切断に非常に長時間を要します。このことによって、切断コストが高くなるだけではなく、工業的に切断できる大きさに限界があります。ダイヤモンドデバイス生産で要求されているのが２インチ（５cm）ウエハと呼ばれる円盤状のダイヤモンド単結晶で、この場合は直径５cmを横に切る必要があり、実現はかなり難しいと考えられています。そこでレーザー切断以外の方法で、以下の図に示す成長した結晶を切り離す技術を開発しました。
b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）
２インチのウエハを作るために、２インチの単結晶を作る必要がありますが、これはまだ実現していません。現実的には、10x10mmの単結晶が最大級の形状であり、２インチにするためにはこれを接続して、２インチの大きさにすることが考えられます。そこで、横方向の接続方法が開発されました。
上記の分離技術を使い、同じ親結晶から複数枚の子結晶を作製します。この子結晶を横に並べ、その上にさらにダイヤモンドを成長させると、複数の子結晶は新たに成長した部分でつながります。このようにして、１個の結晶ではなく、複数個の連結した結晶を得ることが可能です。当社ではこのような連結した結晶のことを「モザイク結晶」と呼んでいます。
モザイク結晶を作る際の問題はモザイク結晶の連結部分の結晶の品質にありました。連結部分はいわゆる結晶粒界になるのですが、この状態が悪くなると、その部分に多結晶ができ、見た目にも黒い線ができます。隣り合わせる結晶は、表面の結晶方位を合わせなくては、きれいに接続できませんが、それでも微妙な結晶方向の違いが発生するために、境界をきれいにすることは難しいことが知られています。
産総研の開発した技術は、以下の図に示すように、複数個の結晶を同じ親結晶から、上記の技術を使って分離します。
(2) 当社製品の特長
①大型の単結晶
当社は、大型の単結晶を、大量に製造することができます。10x10mmの四角形の単結晶、30x30mmのモザイク結晶を製作できます。
②板状の形態
ダイヤモンド単結晶は、通常は粒子状です。用途の多くは板状で使用するため、粒子から板を切断によって製作することが求められます。これに対し、当社の単結晶は、元々板状で製作しますので、このような工程が必要ありません。このために、板状の製品を製作するコストが安くなります。
③広い厚さ範囲
当社の生産プロセスにおいて、成長させる結晶が薄いうちに（短時間で）成長を止めれば、薄板を製作できます。一方、ある程度の厚さの板を作った後で、追加の成長を行えば厚板ができます。当社の生産手法は、板厚に対する制限がほとんどないところが特徴で、板厚0.03～３mmまでの２桁の範囲の製品を生産することが可能です。
④様々な仕様の基板
ダイヤモンドデバイスの研究開発は、未だ基礎的な研究段階です。このため、研究者ごとに必要な基板が異なりますが、当社はこれに対応できる様々な仕様の基板を製品化しています。高品質の基板、半導体層を基板上に形成したもの、表面の結晶面を特定したもの、等々を生産することができます。
【業績等】
決算期 種別 売上高 営業利益 経常利益 純利益
2023/03 単独会社予想 2,415 762 737 486
2022/03 単独実績 1,562 520 527 374
2021/03 単独実績 1,139 267 270 253
2020/03 単独実績 704 76 74 95
決算期 種別 EPS BPS 配当
2023/03 単独会社予想 197.47 1,569.81 0.00
上場時発行済株数 2,545,300株（別に潜在株式135,300株）
公開株数 493,300株（公募360,000株、売り出し69,000株、オーバーアロットメント64,300株）
調達資金使途 設備資金
ＰＥＲ：25.3
ＰＢＲ：
配当利回り：
公募時吸い上げ資金：24.7億
公募時時価：127億
【株主構成】
藤森直治 代表取締役社長 275,000 11.85% 180日
Cornes&Company LTD. 資本的関係会社 250,000 10.77% 180日
ｺｰﾝｽﾞﾃｸﾉﾛｼﾞｰ(株) 取引先 215,000 9.26% 180日
竹内工業(株) 取引先 185,000 7.97% 180日
旭ﾀﾞｲﾔﾓﾝﾄﾞ工業(株) 特別利害関係者など 160,000 6.89% 180日
DCIﾊｲﾃｸ製造業成長支援投組 ベンチャーキャピタル（ファンド） 109,100 4.70% 90日・1.5倍
(株)新生銀行 ベンチャーキャピタル（ファンド） 105,500 4.55% 90日・1.5倍
ﾌｧｲﾝﾃｯｸ(株) 特別利害関係者など 100,000 4.31% 180日
東京都ﾍﾞﾝﾁｬｰ企業成長支援投組 ベンチャーキャピタル（ファンド） 90,900 3.92% 90日・1.5倍
CBC(株) 取引先 88,800 3.83% 180日
本募集及び引受人の買取引受による売出しに関し、貸株人かつ売出人である藤森直治、当社株主かつ当社役員である加茂睦和、北城恪太郎及び髙岸秀滋、当社株主であるCornes＆Company Limited、コーンズテクノロジー株式会社、竹内工業株式会社、旭ダイヤモンド工業株式会社、ファインテック株式会社、CBC株式会社、株式会社槌屋、三星ダイヤモンド工業株式会社、株式会社フューチャーパートナーズ、アダマンド並木精密宝石株式会社、村井勝、フジビーシー技研株式会社、安達新産業株式会社、伊藤満、中野純司及び森永実並びに当社新株予約権者である林雅志、池見達穗、古橋匡幸、河野智昭、小山高弘、小川雅史、藤田優子、三浦和恵、阪口哲也、西川和穂、葉木佳子、井田義行、橋本淑子、山内正規、松本茂、柿沼光之及び高下奈緒は、ＳＭＢＣ日興証券株式会社（以下「主幹事会社」という。）に対して、本募集及び引受人の買取引受による売出しに係る元引受契約締結日に始まり、上場（売買開始）日から起算して180日目の2022年12月23日までの期間中は、主幹事会社の事前の書面による承諾を受けることなく、元引受契約締結日に自己の計算で保有する当社普通株式（潜在株式を含む。）及び当社普通株式を取得する権利を有する有価証券の発行、貸付け、譲渡又は売却等を行わない旨を約束しております。
当社株主であるDCIハイテク製造業成長支援投資事業有限責任組合、株式会社新生銀行、東京都ベンチャー企業成長支援投資事業有限責任組合、名古屋大学・東海地区大学広域ベンチャー１号投資事業有限責任組合及びHigh-ValueC1st投資事業有限責任組合は、主幹事会社に対して、本募集及び引受人の買取引受による売出しに係る元引受契約締結日に始まり、上場（売買開始）日から起算して90日目の2022年９月24日までの期間中は、主幹事会社の事前の書面による承諾を受けることなく、元引受契約締結日に自己の計算で保有する当社普通株式（潜在株式を含む。）及び当社普通株式を取得する権利を有する有価証券の発行、貸付け、譲渡又は売却等（ただし、その売却価格が募集における発行価格又は売出しにおける売出し価格の1.5倍以上であって、主幹事会社を通して行う東京証券取引所での売却等は除く。）を行わない旨を約束しております。
【代表者】
代表者名 藤森 直治（上場時72歳11カ月）／1949年生
本店所在地 大阪府豊中市上新田
設立年 2009年
従業員数 47人 (2022/04/30現在)（平均46.7歳、年収486.4万円）
事業内容 単結晶ダイヤモンドとその関連素材の製造・販売・開発
URL http://www.d-edp.jp/
株主数 29人 （目論見書より）
資本金 497,420,000円 (2022/05/20現在)
代表者生年月日 1949年07月03日生まれ
代表者略歴
1975年04月 住友電気工業(株)入社
2003年04月 独立行政法人産業技術総合研究所 （現国立研究開発法人産業技術総合 研究所）入所
2009年09月 当社設立 当社取締役
2010年04月 東京大学生産技術研究所顧問研究員
2010年05月 一般社団法人ニューダイヤモンドフ ォーラム顧問（現任）
2010年05月 当社代表取締役社長（現任）
2012年04月 独立行政法人産業技術総合研究所 名誉リサーチャー（現任）
【幹事団】
主幹事証券 ＳＭＢＣ日興 373,800 87.13%
引受証券 ＳＢＩ 21,400 4.99%
引受証券 丸三 8,500 1.98%
引受証券 野村 8,500 1.98%
引受証券 楽天 4,200 0.98%
引受証券 マネックス 4,200 0.98%
引受証券 大和 4,200 0.98%
引受証券 岡三 4,200 0.98%
【参考類似企業】今期予想PER（5/30）
1514 住石ＨＤ 5.1倍 (連結予想)
2736 フェスタリアHD 7.3倍 (連結予想)
6521 オキサイド 55.7倍 (単独予想)
7810 クロスフォー 144.0倍 (連結予想)
7872 エステールHD 15.7倍 (連結予想)
7937 ツツミ 42.5倍 (単独予想)
8008 ４℃ＨＤ 20.6倍 (連結予想)
8139 ナガホリ 64.8倍 (連結予想)
9904 ベリテ 20.6倍 (単独予想)
【私見】
ダイヤモンドの人工合成技術ということで、完全な類似業種はなく、優位性から評価はできます。業績の伸びは良いものの、近い業種のＰＥＲからはやや高めで、成長性を加味してでしょう。吸収金額は適度に大きく、1.5倍でロックが外れるＶＣがいるのもやや気がかりです。1，5倍のロックラインが上限の目安でしょうか。
想定価額：4500円
仮条件上限：5000円
初値予想：6500円
ブック申し込み度・・・強気
セカンダリー期待度・・・中立
総合評価：3.5
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